三氧化二鎵
● 參數
名稱:三氧化二鎵(氧化鎵),外文名稱:gallium (III) oxide;分子式為Ga₂O₃;
純度:99.99%;密度:5.88 g/ cm³(at 25℃);熔點:1740°C;溶解性:不溶於水,微溶於熱酸或鹼溶液。
EINECS No.: 234-691-7;CAS No.: 12024-21-4;
包裝/運儲條件:1kg/袋、5kg/袋、25kg/桶;保持密封、乾燥通風、防潮防水。
● 用途
應用於電子工業半導體材料製備、用於高純分析試劑等領域,氧化鎵因其出色的擊穿場強而成為一種有前途的,用於電力電子應用的超寬帶隙半導體。 可以作為LED黃綠色茨光粉,可以製作釓鎵石榴石,氧化鎵任光電子器件方面有廣闊的應用前景,被用作於鎵基半導體材料的絕緣層,氧化緣還可以用作紫外線濾光片,氧化鎵化學探測器。
名稱:三氧化二鎵(氧化鎵),外文名稱:gallium (III) oxide;分子式為Ga₂O₃;
純度:99.99%;密度:5.88 g/ cm³(at 25℃);熔點:1740°C;溶解性:不溶於水,微溶於熱酸或鹼溶液。
EINECS No.: 234-691-7;CAS No.: 12024-21-4;
包裝/運儲條件:1kg/袋、5kg/袋、25kg/桶;保持密封、乾燥通風、防潮防水。
● 用途
應用於電子工業半導體材料製備、用於高純分析試劑等領域,氧化鎵因其出色的擊穿場強而成為一種有前途的,用於電力電子應用的超寬帶隙半導體。 可以作為LED黃綠色茨光粉,可以製作釓鎵石榴石,氧化鎵任光電子器件方面有廣闊的應用前景,被用作於鎵基半導體材料的絕緣層,氧化緣還可以用作紫外線濾光片,氧化鎵化學探測器。
● 參數
名稱:二氧化鉿(氧化鉿),外文名稱:hafnium(IV) oxide;分子式為HfO₂;
純度:99.99%;密度9.68g/cm3;熔點2780~ 2920℃;沸點5400℃;溶解性:不溶於水、鹽酸和硝酸;可溶於濃硫酸和氟氫酸。
EINECS No.: 235-013-2;CAS No.: 12055-23-1;
包裝/運儲條件: 2kg/袋、5kg/袋、25kg/桶、50kg/桶;保持密封、乾燥通風、不得露天堆放。
● 用途
廣泛應用於先進的光學材料、陶諮材料中,如高透明度玻璃、光學纖維和光學塗層等，還可以用於合成石油化工領域的重要催化劑，如合成氣製合成氨、合成甲醇等。
● 參數
名稱:二氧化鍺(氧化鍺),外文名稱:germanium dioxide;分子式為GeO₂;
純度:99.99%;密度:6.239 g/cm³;熔點:1086°C;溶解性:不溶於水和鹽酸;
EINECS No.: 215-180-8;CAS No.: 1310-53-8;
包裝/運儲條件: 1kg/袋, 5kg/袋、25kg/桶;包裝密封,保持乾燥、防潮防水; 勿與鹼類、酸類接觸。
● 用途
應用於電子工業、半導體材料領域。 主要用作聚合反應的催化劑,金屬鍺和其他鍺化合物的製取原料、製取聚對苯二甲酸乙二酯樹脂時的催化劑以及光譜分析和半導體材料。 也可以製造光學玻璃熒光粉,可作為催化劑用於石油提煉時轉化、去氫、汽油餾份的調整,以及用於彩色膠捲及聚脂纖維生產。 另外還可用於製造磷光體,玻璃著色劑和其他電子化合物等。
